大陸芯片投資人舉例稱,中國(guó)大陸模擬芯片自給率在10%左右,仍有很大市場(chǎng)空間。一旦中國(guó)大陸的成熟制程具備性價(jià)比,將幫助模擬芯片公司在全球市場(chǎng)攻城略地。他預(yù)計(jì),三年之內(nèi),中國(guó)大陸主要還是發(fā)力40納米、55
那么的核心,如果3納米良率提上來(lái),疊加很多其他技術(shù),成本、功耗可能比2納米還低?!币幻袊?guó)大陸芯片投資人對(duì)財(cái)新稱。值得一提的是,三星的3納米工藝采用了GAA(環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù),以取代此前在先進(jìn)制程
熱評(píng):
難預(yù)測(cè)?!拔磥?lái)的技術(shù)演進(jìn)路線變化很大,現(xiàn)階段是3納米還是2納米,并沒(méi)有那么的核心,如果3納米良率提上來(lái),疊加很多其他技術(shù),成本、功耗可能比2納米還低。”一名中國(guó)大陸芯片投資人對(duì)財(cái)新稱。值得一提的是,三
FinFET或GAAFET)的邏輯芯片;半間距不超過(guò)18納米的DRAM存儲(chǔ)芯片;128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。這些限制,恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上。 目前,在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),中國(guó)大
手機(jī)業(yè)務(wù)線折戟。 而對(duì)于這一波的新制裁,2個(gè)月前美國(guó)設(shè)置的三條紅線,恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上,一名半導(dǎo)體投資人表示,“中芯國(guó)際、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)最受沖擊,它們可能會(huì)被卡在現(xiàn)有
邏輯芯片;半間距不超過(guò)18納米的DRAM存儲(chǔ)芯片;128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。這些限制,恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上。 目前,在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),中國(guó)大陸廠商份額仍然偏低
得許可證。 三條紅線恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上?!爸行緡?guó)際、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)最受沖擊,它們可能會(huì)被卡在現(xiàn)有水平上,難以向更先進(jìn)工藝邁進(jìn)?!币幻麌?guó)資儲(chǔ)、半導(dǎo)體投資人直言。在
紅線——16納米或14納米或以下非平面晶體管架構(gòu)(即FinFET或GAAFET)的邏輯芯片;半間距不超過(guò)18納米的DRAM存儲(chǔ)芯片;128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。 三條紅線恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造
DRAM存儲(chǔ)芯片;128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。 三條紅線恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上?!爸行緡?guó)際、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)最受沖擊,它們可能會(huì)被卡在現(xiàn)有水平上,難以向更先進(jìn)工藝邁進(jìn)
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那么的核心,如果3納米良率提上來(lái),疊加很多其他技術(shù),成本、功耗可能比2納米還低?!币幻袊?guó)大陸芯片投資人對(duì)財(cái)新稱。值得一提的是,三星的3納米工藝采用了GAA(環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù),以取代此前在先進(jìn)制程
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難預(yù)測(cè)?!拔磥?lái)的技術(shù)演進(jìn)路線變化很大,現(xiàn)階段是3納米還是2納米,并沒(méi)有那么的核心,如果3納米良率提上來(lái),疊加很多其他技術(shù),成本、功耗可能比2納米還低。”一名中國(guó)大陸芯片投資人對(duì)財(cái)新稱。值得一提的是,三
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FinFET或GAAFET)的邏輯芯片;半間距不超過(guò)18納米的DRAM存儲(chǔ)芯片;128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。這些限制,恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上。 目前,在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),中國(guó)大
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邏輯芯片;半間距不超過(guò)18納米的DRAM存儲(chǔ)芯片;128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。這些限制,恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上。 目前,在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),中國(guó)大陸廠商份額仍然偏低
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紅線——16納米或14納米或以下非平面晶體管架構(gòu)(即FinFET或GAAFET)的邏輯芯片;半間距不超過(guò)18納米的DRAM存儲(chǔ)芯片;128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片。 三條紅線恰好卡在中國(guó)大陸芯片制造
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